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本发明公开了一种横向耦合FBAR及其制备方法与通信设备。本发明的横向耦合FBAR的组成包括平面衬底和设置在平面衬底上至少刻蚀形成两个凹槽上的两个谐振器,谐振器的组成包括过渡层、底电极、压电薄膜和顶电极,相邻两个谐振器通过共用一个电极形成耦合,所述共用电极形式为,左侧谐振器的顶电极延伸出来与右侧谐振器的底电极相连,在同一平面衬底上横向耦合至少两个谐振器。本发明提出的结构工艺可以在同一平面衬底上实现多个谐振器的横向耦合,相比于纵向耦合方式,尽可能地削减了耦合谐振器之间声波相互影响,且更易于形成高频谐
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116865703 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310697930.6
(22)申请日 2023.06.13
(71)申请人 华南理工大学
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