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本申请涉及半导体领域，公开了一种欧姆接触电极的制备方法。本申请所述制备方法使用Ti/Ni双金属依次淀积，然后采用三次独立退火后形成欧姆接触电极。由于Ti可与C反应避免了C原子会积累在界面附近和金属表面形成碳膜或碳团簇，使得欧姆接触电极的表面形貌平整，具有较低的比接触电阻并提高了SiC欧姆接触性能。三次独立退火增强接触界面粘附性并且使用温度较低从而降低了点缺陷和扩展缺陷的发生概率，提高了器件性能和可靠性。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864379 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202311137558.X
(22)申请日 2023.09.05
(71)申请人 珠海格力电子元器件有限公司
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