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- 2023-10-11 发布于四川
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本文描述在形成互连中使用的用于沉积低电阻率硅化镍层的方法和使用所述方法形成的电子装置。在一个实施方式中，一种用于沉积层的方法包括：将基板定位在处理腔室中的基板支撑件上，所述处理腔室具有设置在所述处理腔室中的镍靶材和硅靶材，所述镍靶材和硅靶材的面向基板部分各自具有从基板的面向靶材表面的在约10度与约50度之间的角度；使气体流动到处理腔室中；向镍靶材施加射频功率并且同时向硅靶材施加直流功率；分别从硅靶材和镍靶材同时地溅射硅和镍；并且在基板上沉积NixSi1‑x层，其中x在约0.01与约0.99之间。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864485 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310657384.3 C23C 14/35 (2006.01)
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