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本申请属于半导体技术领域，提供一种半导体装置的制造方法及半导体装置，其中，半导体装置的制造方法包括：提供半导体基板，半导体基板具有前侧及背侧；在背侧内形成收集层；对背侧执行第一氢离子植入制程以形成N型区，且以第一退火温度烘烤N型区以形成场截止缓冲层；对背侧执行第二氢离子植入制程以形成寿命控制区域，且以第二退火温度烘烤寿命控制区域以形成缺陷层，其中，第二退火温度低于第一退火温度；以及在背侧形成金属层。该方案不仅可以增加半导体装置切换性能的可控性，还可以使半导体装置具有更快的切换速度，并且可以降低半
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864392 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202210816846.7 H01L 29/739 (2006.01)
(22)申请日 2022.07
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