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- 2023-10-11 发布于四川
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本发明实施例公开了一种NAND闪存芯片的测试样本,其中,所述测试样本包括多个相同的样本区域,每个样本区域包括多个相邻的数据块,所述多个相邻的数据块用于进行不同擦写次数的测试;所述多个相同的样本区域中,任意两个相邻的样本区域之间间隔预设数量的相邻数据块。本发明实施例通过将多个相邻的数据块构成样本区域,用于进行不同擦写次数的测试,并在测试样本中以一定的间隔均匀分布多个相同的样本区域,从而在单芯片上实现多种擦写次数的测试,不仅降低了测试成本,同时又能覆盖不同擦写次数的测试,实现NAND闪存芯片的基本性
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 108242252 A
(43)申请公布日
2018.07.03
(21)申请号 20161
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