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- 2023-10-11 发布于四川
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本发明公开了一种SiCMOSFET物理模型构建方法、设备及存储介质，所述构建方法包括根据SiCMOSFET的静态特性和温度特性构建SiCMOSFET的沟道电流模型；根据SiCMOSFET的结构参数构建导通电阻模型；根据漏源电压、栅源电压以及温度，构建SiCMOSFET的非线性寄生电容模型；根据所述沟道电流模型、导通电阻模型以及非线性寄生电容模型构建SiCMOSFET物理模型；识别出所述SiCMOSFET物理模型的参数。本发明构建的模型具有更高的准确性和普适性，为包含SiCMOSF
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116861833 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202311100643.9
(22)申请日 2023.08.30
(71)申请人 湖南大学
地址 410082
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