霍尔效应实验.pdfVIP

霍尔效应实验 一、实验目的 1、了解霍尔效应产生的机理，掌握测试霍尔器件的工作特性； 2 、掌握用霍尔元件测量磁场的原理和方法。 二、实验原理 如右图所示，把一长方形半导体薄片放入磁场中，其平面与磁 场垂直，薄片的四个侧面分别引出两对电极（M、N 和P 、S），径 电极M、N 通以直流电流IH ，则在P 、S 极所在侧面产生电势差， 这一现象称为霍尔效应。这电势差叫做霍尔电势差，这样的小薄片 就是霍尔片。 假设霍尔片是由n 型半导体材料制成的，其载流子为电子，在电极M 、N 上通过的电流由M 极进入， N 极出来（如图），则片中载流子（电子）的运动方向与电流IS 的方向相反，运动的载流子在磁场中要受    到洛仑兹力的作用，f B e B ，电子在洛仑兹力的作用下，在由N→M 运动的过程中，同时要向S 极 所在的侧面偏转（即向下方偏转），结果使下侧面积聚电子而带负电，相应的上侧面积（P 极所在侧面）带 正电，在上下两侧面之间就形成电势差 VH ，即霍尔电势差。薄片中电