一种深硅刻蚀方法及设备.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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一种深硅刻蚀方法及设备.pdf

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本发明公开了一种深硅刻蚀方法及设备，属于半导体技术领域。该方法包括以下步骤：a、采用刻蚀气体对晶圆进行深硅刻蚀，排出反应气体；b、通入高氟含量的刻蚀气体进行刻蚀，关闭背氦冷却系统，使晶圆温度升高；对侧壁进行各向同性刻蚀，排出反应气体；c、通入C4F8气体并对其离子化，沉积聚四氟乙烯钝化层，排出反应气体；d、通入刻蚀气体SF6，背氦冷却系统满功率工作；进行各向异性刻蚀，排出反应气体；e、对SiO2进行选择性各向同性腐蚀，释放出结构。本发明的方法在利用深硅刻蚀中的钝化层形成过程中直接沉积聚四氟乙烯防

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116854025 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310705106.0 (22)申请日 2023.06.14 (71)申请人珠海恒格微电子装备有限公司地址