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本发明公开了一种基于SOI衬底的DTI隔离形成工艺，在SOI衬底上进行刻蚀形成DTI沟槽；所述DTI沟槽的刻蚀，其底部仍保留一定厚度的外延硅层；进行热氧化工艺，充分氧化使所述DTI沟槽底部剩余的外延硅层全部转化为氧化层；对所述DTI沟槽进行多晶硅膜层淀积，将所述DTI沟槽的剩余空间填充满多晶硅。本发明工艺为了防止DTI沟槽底部产生空洞而降低隔离环耐压，采用在DTI沟槽刻蚀完成后，DTI沟槽底部保留一定厚度的外延硅层，然后通过热氧化工艺将DTI沟槽底部的残余外延硅层氧化成氧化膜，该氧化膜与SOI衬
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116864443 A
(43)申请公布日 2023.10.10
(21)申请号 202310721133.7
(22)申请日 2023.06.19
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
地
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