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具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-11 发布于四川
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具有穿过堆叠体的外围接触通孔结构的多层级存储器器件及其制造方法.pdf

    可以采用最少附加处理步骤形成延伸穿过三维存储器器件的多个层级结构的去往外围器件的接触。可以与形成第一存储器开口同时地形成穿过第一层级结构的第一外围通孔腔。可以与形成牺牲存储器开口填充结构同时地在第一外围通孔腔中形成牺牲通孔填充结构，该牺牲存储器开口填充结构形成在第一存储器开口中。可以与形成字线接触通孔腔同时地形成穿过第二层级结构的第二外围通孔腔，该字线接触通孔腔延伸到第一和第二层级结构中的导电层的顶表面。在移除牺牲通孔填充结构之后，第一和第二外围通孔腔可以填充有导电材料，以与形成字线接触通孔结构

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 108431956 A (43)申请公布日 2018.08.21 (21)申请号 20178

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