半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-10-11 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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本申请提供一种半导体结构及其形成方法，所述形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一器件区和第二器件区；在所述第一器件区和第二器件区的半导体衬底上形成交替分布的第一掺杂区和第二掺杂区；在所述第一器件区形成自所述第一掺杂区和第二掺杂区的表面向底部方向延伸的埋层；形成依次相邻的第一阱区、第二阱区和第三阱区，且所述第三阱区中还形成有位于部分所述第一掺杂区表面的第一漂移区；形成第一器件和第二器件，其中所述第一器件包括第一源漏结构和第二源漏结构，所述第二器件包括第三源区和第四源区。所述半导体结构

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116864506 A (43)申请公布日 2023.10.10 (21)申请号 202310961836.7 (22)申请日 2023.08.01 (71)申请人飞锃半导体（上海）有限公司地址