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GaAs MESFET分布式放大器设计的中期报告 1. 引言 GaAs MESFET分布式放大器是一种常见的高频放大器，广泛应用于通信、雷达、卫星通信等领域。本报告介绍了我所设计的一款GaAs MESFET分布式放大器的中期报告，包括设计目标、电路结构、设计流程、仿真结果和下一步工作计划等方面。 2. 设计目标 本次设计的GaAs MESFET分布式放大器的工作频率为8-12GHz，增益为15-20dB，带宽为1GHz。其主要应用于雷达接收机中的低噪声放大器（LNA）。 3. 电路结构 本次设计采用的是共源极结构，其具有简单、稳定、易于实现等优点。共源极结构如下图所示：  其中，R1为输入匹配电阻，C1为输入匹配电容，RL为负载电阻，C2为输出匹配电容，L1、L2、L3为分布式电感。 4. 设计流程 本次设计的流程如下： 1）确定电路结构； 2）设计输入和输出匹配网络，使其在设计频率范围内具有良好的匹配性能； 3）根据电路结构和匹配网络设计分布式电感； 4）根据设计参数计算MESFET的宽度和长度，进行器件选型； 5）进行电路仿真，验证设计参数是否符合要求； 6）进行电路优化。 5. 仿真结果 本次设计使用Advanced Design System软件进行仿真，仿真结果如下：  如图所示，该电路的中心频率为10GHz，增益约为18dB，带宽为1GHz，满足了设计要求。 6. 下一步工作计划 下一步，我将进行电路优化，进一步改善电路的增益、带宽等性能。同时，我还将进行器件的选型和布局，进一步提高电路的性能和可靠性。最后，我将制作样品进行实验验证，并对结果进行分析和优化。