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本发明涉及晶体管领域，特别是涉及一种增强型GaN高电子迁移率晶体管及制备方法，包括从顶部依次贯穿钝化层与氮化镓帽层，底部位于铝镓氮势垒层的凹槽结构；所述凹槽结构内设置有栅电极，且从所述凹槽结构的内壁到所述栅电极之间包括依次设置的带阶介质层及铁电介质层；所述带阶介质层为三族氮氧化物层和/或三族氧化物层；所述带阶介质层及所述铁电介质层阻断所述栅电极与所述氮化镓帽层的直接接触，并阻断所述栅电极与所述铝镓氮势垒层的直接接触。本发明中在所述凹槽结构内壁上设置带阶介质层，能完整覆盖并保证高质量槽栅界面，抑制
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116884991 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310956151.3
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 中国科学院宁波材料技术与工程研
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