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一种高强度的高纯二氧化硅陶瓷及其制造方法，其原料粉末由热解法制得的高纯SiO2磨细得来，粉末的粒径为0.1～80μm，分别通过模压成型以及冷等静压成型，在空气气氛中无压烧结，依据本发明在远低于石英玻璃烧制的温度下制造了强度与石英玻璃相当的高纯二氧化硅陶瓷材料，解决了现有的二氧化硅陶瓷材料存在的由于方石英析晶以及致密度低而削弱了其力学性能，从而限制了其替代石英玻璃应用于半导体光伏行业作为高纯石英器件的问题，大大降低了半导体及光伏行业的生产成本。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116874292 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310979157.2
(22)申请日 2023.08.03
(71)申请人 西安交通大学
地址 710049
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