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本发明公开了一种Pt表面等离激元增强的Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器及其制备方法。本发明首先在Si衬底上生长SiO2，再将本征的Ga2O3纳米带机械剥离转移到已制备金属标记的SiO2薄膜衬底上，并在纳米带的两边对称制备接触电极，紧接快速热退火以形成欧姆接触；然后继续在纳米带上制备肖特基接触电极，最后，特定尺寸的Pt等离激元阵列被制备在纳米带的表面，从而得到Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器。本发明的Pt表面等离激元增强的Ga2O3SBD型日盲紫外光电探测器具有极低的暗电流，超高的整流
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116885031 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310890403.7
(22)申请日 2023.07.20
(71)申请人 复旦大学义乌研究院
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