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2023-10-14 发布于四川
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本发明涉及半导体制造技术领域，具体公开了一种硅穿孔阵列的结构质量测试方法、装置、设备及存储介质，通过接收用户输入的目标硅穿孔阵列的物理坐标数据、材料参数、物理场参数和仿真条件，调用三维模型构造脚本以根据物理坐标数据生成目标硅穿孔阵列的三维模型，而后调用硅穿孔阵列仿真脚本以根据材料参数和物理场参数为三维模型匹配材料属性和物理场模型后，根据仿真条件对三维模型进行物理场仿真，得到并输出目标硅穿孔阵列的结构质量测试结果。用户只需输入少量参数，即可快速简单地实现对硅穿孔阵列的结构质量仿真测试，不仅降低了技

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116882246 A (43)申请公布日 2023.10.13 (21)申请号 202310909065.7 G06F 113/18 (2020.01)

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