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本发明涉及一种半导体结构及其制作方法，半导体结构包括目标层、多个下电极以及顶部支撑结构，多个下电极独立设置在目标层上，下电极包括第一电极部和设置在第一电极部上的第二电极部，第二电极部向相邻的下电极之间的空间延伸；顶部支撑结构包括设置在第二电极部之间的第一支撑部以及设置在第二电极部上方的第二支撑部，顶部支撑结构和第二电极部卡扣连接。顶部支撑结构和第二电极部卡扣连接提高了顶部支撑结构对下电极的顶部的支撑力，进而提高了下电极的结构稳定性，降低了下电极倾倒、倒塌、变形的风险，提高了半导体结构的产品良率和
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116887599 A
(43)申请公布日 2023.10.13
(21)申请号 202310935246.7
(22)申请日 2023.07.26
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
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