动态应力下SOI-LDMOS热载流子退化机理及寿命模型研究的中期报告.docxVIP

动态应力下SOI-LDMOS热载流子退化机理及寿命模型研究的中期报告 本研究的目的是研究动态应力下SOI-LDMOS器件的热载流子退化机理，并建立相应的寿命模型。本报告主要介绍研究进展及初步结果。 首先，我们对SOI-LDMOS器件的一系列静态和动态电气性能进行了测量和分析，包括输出特性、开关速度、漏电流等。接着，我们利用电子注入法进行了寿命测试，发现动态应力下的寿命显著低于静态应力下的寿命。进一步的分析表明，热载流子退化是导致寿命降低的主要原因。 接下来，我们对热载流子退化机理进行了深入研究。我们发现，热载流子的产生和注入会导致晶体管中的电子能带形变，从而影响器件性能。此外，在动态应力下，电子能带形变更加明显，导致热载流子的注入增加，从而加速器件的退化。 最后，针对目前的研究进展，我们建立了动态应力下SOI-LDMOS器件热载流子退化的模型，该模型可以预测器件寿命。我们将在后续工作中进一步验证该模型，并探讨寿命预测模型的优化方法。 总之，本研究初步揭示了动态应力下的SOI-LDMOS器件的热载流子退化机理，为建立寿命预测模型奠定了基础。