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本实用新型提供了一种基于红外及红色可见光应用的半导体发光结构，通过所述P型DBR层配合能穿透不同波段的外延衬底的应用，同时，将所述P型DBR层设置于所述P型半导体层的水平表面，相比于传统的红光芯片将DBR层设置在衬底和N型半导体层之间，能增加半导体发光结构的反射面积，进而提高其发光亮度，且能同时适用于红色可见光和红外光的LED芯片；其次，当将本实用新型所提供的半导体发光结构应用于红色可见光LED芯片时，通过将其衬底设为GaP衬底材料，在增加半导体发光结构的反射面积的同时，简化了产品的工艺，并降低
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 210668406 U
(45)授权公告日
2020.06.02
(21)申请号 20192
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