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硅光电池特性研究 【实验目的】 了解硅光电池工作原理 掌握硅光电池的工作特性。 【实验原理】 硅光电池是根据光伏效应而制成的将光能转换成电能的一种器件，它的基本结构就是一个 P-N 结。硅光电池 P-N 结的制造，一般是在 P 型硅片上扩散磷形成 N 型薄层，是 N/ P 型电池。也可在 N 型硅片上扩散硼形成 P 型薄层，形成 P/N 型电池。光电池是在 N（P）型硅基底上扩散 P（N）型杂质并作为受光面，构成个 P-N 结后，再经过各种工艺处理，分别在基底和光敏面上制作输出电极， 涂上二氧化硅作保护膜（一方面起防潮保护作用，另一方面对入射光起抗反射作用），即成硅光电池 （图 1 所示）。 图 1 硅光电池结构 1、P-N 结偏置特性 当 P 型和 N 型半导体材料结合时，由于 P 型材料空穴多电子少，而 N 型材料电子多空穴少，结果 P 型材料中的空穴向 N 型材料这边扩散，N 型材料中的电子向 P 型材料这边扩散，扩散的结果使得结合区两侧的 P 型区出现负电荷，N 型区带正电荷，形成一个势垒。由此而产生的内电场将阻止扩散运动的继续进行，当两者达到平衡时，在 PN 结两侧形成一个耗尽区，耗尽区的特点是无自由载流子， 呈现高阻抗。当 PN 结反偏时，外加电场与内电场方向一致，耗尽区在外电场作用下变宽，使势垒加强；当 PN 结正偏时，外加电场与内电场方向相反，耗尽区在外电场作用下变窄，使势垒削弱，使载流子扩散运动继续形成电流，这就是 PN 结的单向导电性，电流方向是从 P 指向 N。图 2 所示是半导体 PN 结在零偏、反偏、正偏下的耗尽区。 零偏 (b) 反偏 (c) 正偏 图 2 硅光电池 PN 结在零偏，反偏和正偏下的耗尽区 2、光伏效应 当硅光电池 PN 结处于零偏或反偏时，在它们的结合面耗尽区存在一内电场，当有光照时，电池对光子的本征吸收和非本征吸收都产生光生载流子，但能引起光伏效应的只能是本征吸收所激发的少数载流子。入射光子将把处于价带中的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘移到 N 型区和 P 型区，当在 PN 结两端加负载时就有一光生电流流过负载。基于光伏效应，硅光电池的应用分为两类。一类是作为能源，如把太阳光的能量转换为电能，为太阳能电池，是利用太阳能的重要元件。另一类是作为光电信号转换器，可用于光探测器。 3、 伏安特性 在一定光照下，在光电池两端加一个负载就会有电流流过，当负载很大时，电流较小而电压较大；当负载很小时，电流较大而电压较小。如图 3 所示，硅光电池的伏安特性曲线由二个部分组成： 无偏压工作状态，光电流随负载变化很大。 反偏压工作状态，光电流与偏压、负载几乎无关（很大的动态范围内）。 伏安特性曲线在横轴上的截距为开路电压UOC ，在纵轴上的截距为短路电流 Isc 。 图 3 硅光电池的伏安特性曲线 照度特性 当没有光照时，硅光电池等效于普通的二极管，其伏安特性为： I ? ? ? qU ? ? I0 ?exp? k T ? ?1? ? ? B ? ? I 为流过 PN 结的电流，I0 为反向饱和电流，q 为电子电荷，k B 为玻尔兹曼常数，T 为绝对温度，U 是加在 PN 结两端电压。对于外加正向电压， I 随V 指数增长，称正向电流；当外加电压为反向时，在反向击穿电压之内，反向饱和电流基本是个常数。 当有光照时，入射光子把处于价带的束缚电子激发到导带，激发出的电子空穴对在内电场作用下分别飘逸到 N 型区和 P 型区，当在 PN 结两端加负载时就有光生电流流过负载，流过 PN 结两端的电流： I ? I ? ? ? qU ? ? ? ph I0 ?exp? k T ? 1? ? ? B ? ? 式中 I ph 是与入射光的强度成正比的光生电流，其比例系数与负载电阻的大小及硅光电池的结构特性有关。 当硅光电池在短路状态时（U=0），短路电流为： Isc ? I ph U ? kBT ? ISC ? 当硅光电池在开路状态时（I=0），开路电压为： OC ln ? q ? I0 ?1? ? 短路电流 Isc 和光照强度 L 成正比，开路电压UOC 与光照强度 L 的对数成正比。图 4 是在一定光照范围内 Isc 和UOC 随 L 的变化关系。在线性测量中，光电池通常以电流形式使用，故 Isc 与 L 呈线性关系， 是光电池的重要光照特性。实际使用时都接有负载电阻 RL ，输出电流IL 随 L 的增加而非线性缓慢地增加，并且随 RL 的增大线性范围也越来越小。因此,在要求输出的 IL 与 L 呈线性关系时，RL 在条件许可的情况下越小越好，并限制在光照范围内使用。 图 4 硅光电池的光照特性曲线 图 5 硅光电池的输出特性曲线 输出特性 硅光