屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法.pdfVIP

下载本文档

1
0
约1.12万字
约 15页
2023-10-18 发布于四川
举报
版权申诉

屏蔽栅沟槽型MOSFET及其制造方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明涉及半导体功率器件技术领域，本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET的制造方法，其包括下列步骤：在衬底上形成沟槽，在沟槽中生长屏蔽氧化层和沉积第一多晶硅；对第一多晶硅进行磨平，对屏蔽氧化层进行减薄；对第一多晶硅进行减薄，使得第一多晶硅的上表面与沟槽的顶部齐平；用光罩定义出终端区域，然后去除部分第一多晶硅和屏蔽氧化层；生长栅氧化层和沉积第二多晶硅，对第二多晶硅进行回刻。借此，该屏蔽栅沟槽型MOSFET可以消除终端位置的凹坑，终端位置将不会再有第二多晶硅残留，进而避免栅源极短路的问题，有效提升了

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116895532 A (43)申请公布日 2023.10.17 (21)申请号 202311010247.7 (22)申请日 2023.08.11 (71)申请人厦门芯达茂微电子