氧化锌锡作电子传输层的CdSe(S)量子点发光二极管的中期报告.docxVIP

氧化锌锡作电子传输层的CdSe(S)量子点发光二极管的中期报告 本篇报告旨在介绍氧化锌锡（ZTO）作为电子传输层在CdSe(S)量子点发光二极管（LED）中的应用情况。我们进行了一系列实验并分析了结果，以下是我们的研究成果： 1. 实验方法： - 制备CdSe(S)量子点LED：在ITO玻璃衬底上沉积20nm的氧化铟锡（ITO）作为透明电极，经过超声波清洗后沉积一层10nm的锌氧化物（ZnO）作为电子注入层，之后沉积一层厚度为30nm的CdSe(S)量子点作为发光层，最后通过热蒸发的方法在CdSe(S)量子点上沉积20nm的锂氟化铝（LiF）和0.5nm的铝（Al）作为阳极。 - 制备氧化锌锡薄膜：采用射频磁控溅射法，在室温下连续沉积氧化锌锡薄膜，沉积速率为0.1 ?/s。 - 测试器件性能：使用KEITHLEY 2400仪器测量LED的 IV 特性曲线和光谱性能，同时使用压电扫描显微镜（PFM）观察LED表面形貌。 2. 结果分析： - 器件性能：使用不同厚度的ZTO作为电子传输层，测量LED的IV曲线及发光强度，结果表明，当ZTO厚度为15 nm时，LED的最大亮度最高，并且稳定性最好。当ZTO的厚度大于15 nm时，LED的发光效率开始降低。进一步的研究表明，采用15 nm的ZTO作为电子传输层的LED，在350-600 nm范围内的发光强度最大，且半高宽最小。 - 影响机理