基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管及其制备方法.pdfVIP

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2023-10-21 发布于四川
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基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管及其制备方法.pdf

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本发明提供一种基于多层自对准工艺的双栅高频有机晶体管，包括自下而上依次堆叠的透明衬底、底部栅极、栅极介质层、自对准源漏接触、有机半导体层、绝缘层、和自对准顶部栅极；自对准源漏接触的底面部分与透明衬底接触，部分与栅极介质层接触，其顶面与有机半导体层接触；自对准源漏接触和所述绝缘层是透明的，自对准源漏接触和所述自对准顶部栅极是以底部栅极作为掩膜进行背面曝光来实现自对准光刻工艺并制作得到的。本发明还提供相应的制备方法。本发明的晶体管在最新的高频平面式有机晶体管基础上将背面曝光和透明材料结合，其源漏接触

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116916662 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202311039973.1 (22)申请日 2023.08.17 (71)申请人中国科学院上海微系统与信息技术