原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明提供了一种沟槽栅IGBT器件及其制备方法，所述沟槽栅IGBT器件包括：衬底，设有若干沟槽栅元胞，相邻沟槽栅元胞之间具有间隔区；第一导电类型发射区，由间隔区的衬底表面延伸至沟槽栅的底部，且第一导电类型发射区的两端分别与沟槽栅元胞的漂移区及源极连接；两个第二导电类型基区，设于第一导电类型发射区内且各自邻近两侧的沟槽栅，并由衬底表面延伸至沟槽栅的部分深度；两个第一导电类型集电区，各自设于两个第二导电类型基区内，且与沟槽栅电连接。本发明中，可通过在间隔区的第一导电类型发射区、第二导电类型基区及第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116913957 A
(43)申请公布日 2023.10.20
(21)申请号 202311004147.3
(22)申请日 2023.08.10
(71)申请人 绍兴中芯集成电路制造股份有限公
文档评论（0）