半导体制造设备及其运行方法.pdfVIP

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  • 2023-10-21 发布于四川
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根据本发明提供一种半导体制造设备及其运行方法,所述半导体制造设备包括:执行非晶碳(AmorphousCarbon)沉积形成非晶碳膜(ACL)的ACL工序的工程腔室;从所述工程腔室排出在执行所述ACL工序的过程中在所述工程腔室产生的残留气体的真空泵;连通所述工程腔室和所述真空泵的腔室排气管;利用等离子体形成等离子体反应区域的等离子体反应器;及向所述等离子体反应器供应处理气体的气体供应器,所述残留气体从所述工程腔室排出并沿着所述腔室排气管流动形成废气,所述处理气体在所述等离子体反应区域被等离子体分

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116917537 A (43)申请公布日 2023.10.20 (21)申请号 202280019309.8 (74)专利代理机构 北京同立钧成知识产权代理

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