原创力文档- 7
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- 2023-10-21 发布于四川
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本发明涉及使用ALD和高密度等离子体CVD形成气隙密封件的系统和方法。一种用于处理衬底以形成气隙的方法包括：a)提供包括第一沟槽和第二沟槽的衬底；b)在所述衬底上沉积共形层；c)执行溅射以在与所述第一沟槽和所述第二沟槽的上开口间隔开的位置处至少部分地夹断所述第一沟槽和所述第二沟槽的上部；以及d)执行溅射/沉积以密封所述第一沟槽和所述第二沟槽中的第一和第二气隙。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 107045999 A
(43)申请公布日
2017.08.15
(21)申请号 20171
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