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本发明涉及一种半导体激光器芯片中的自对准方法，属于半导体器件制备技术领域，包括在单模外延片上刻蚀脊型波导、绝缘介质薄膜沉积、涂胶与烘烤、去除光刻胶、制作p型金属电极、研磨抛光、制作n型金属电极、退火处理的过程。本发明自对准方法通过光刻版半曝光、显影实施涂胶，以及去胶溶液去除光刻胶，在单模半导体激光器芯片的脊型波导上形成P型电极窗口，弥补了接触式光刻机在对位精度的不足，解决了单模半导体激光器芯片窄条宽上P型电极难制作的问题。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116937316 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311019480.1 G02B 6/136 (2006.01)
(22)申请日 2023.08.
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