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本发明提供一种半导体器件的形成方法，提供衬底，衬底包括依次设置的第一衬底层、第二衬底层和第三衬底层，在第三衬底层远离第二衬底层的一端形成掩膜层图案和氧化隔离层；沿氧化物隔离层的外侧依次刻蚀第三衬底层、第二衬底层和第一衬底层，形成隔离沟槽；移除掩膜层图案，沿氧化物隔离层的内侧刻蚀第三衬底层；移除第二衬底层；环绕刻蚀后的第三衬底层沉积隔离层。与现有技术相比，该方法制作出的半导体器件，相比于现有技术中的半导体器件其栅极面积增大，与其他器件连接时的接触面积较大，并且可以有效地避免短沟道效应，其使用效果更
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111785631 A
(43)申请公布日 2020.10.16
(21)申请号 201910267991.2 H01L 29/423 (2006.01)
(22)申请日
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