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本发明涉及图像处理领域，具体涉及基于机器视觉的MOSFET蚀刻缺陷检测方法，采集MOSFET蚀刻灰度图像；根据各像素点八邻域内像素点的灰度信息得到各像素点的递变规律显著走势；根据各像素点邻域窗口内像素点的递变规律显著走势得到各像素点的槽口区域疑似度；根据各像素点的槽口区域疑似度得到各像素点的槽口缺陷疑似度；根据各像素点的槽口缺陷疑似度得到MOSFET蚀刻缺陷程度；根据MOSFET蚀刻缺陷程度及缺陷阈值，完成MOSFET蚀刻缺陷检测。实现了MOSFET蚀刻缺陷检测，提高了对缺陷边缘点检测精度，避免
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116934744 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311182136.4
(22)申请日 2023.09.14
(71)申请人 深圳市冠禹半导体
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