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本发明提供一种半导体器件制备方法，包括步骤：制备得到半导体结构，所述半导体结构包括半导体材料的基底及位于基底内，且显露于基底表面的有源区，以及位于基底上表面或基底内的栅极；于有源区表面和栅极表面涂布金属前驱物以形成金属前驱物材料层；进行预设时长的热烘，以于有源区和金属前驱物材料层的界面处以及栅极和金属前驱物材料层的界面处形成初始欧姆接触层；去除未反应的金属前驱物材料；进行热退火，以使初始欧姆接触层成为低阻值欧姆接触层。相较于现有技术，本发明不仅流程极大简化，可以显著降低生产成本，而且热处理温度显
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936475 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311188426.X
(22)申请日 2023.09.15
(71)申请人 粤芯半导体技术股份有限公司
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