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- 2023-10-25 发布于四川
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本发明公开了一种深掺杂碳化硅耐压JFET结构及其制备方法，包括碳化硅衬底和碳化硅外延层；在碳化硅外延层上设有栅极填充区、源极注入区；在该JFET结构的Y轴方向上，源极注入区与栅极填充区间断交替分布；在该JFET结构的X轴方向上，源极注入区与碳化硅外延层间断交替分布或源极注入区与栅极填充区间断交替分布；栅极填充区上覆盖有栅金属电极，整个碳化硅外延层上方覆盖有源金属电极，整个碳化硅外延层背面覆盖有漏金属电极；碳化硅衬底、碳化硅外延层、源极注入区的掺杂类型均为第一导电类型；栅极填充区的掺杂类型为第二导
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116936610 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311196920.0 H01L 21/337 (2006.01)
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