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本发明公开了一种SiC人工晶界合成方法，利用单晶碳化硅基片制备任意角度和类型SiC人工晶界的精确方法。制备过程包括以下步骤：首先对单晶SiC基片进行切割，然后对单晶SiC基片进行化学清洗，以去除可能的污染和氧化层；随后，对清洗后的单晶SiC基片进行表面氢化处理，以确保单晶SiC基片在空气中长时间保持无氧化层的状态。最后，将经过氢化处理的单晶SiC基片转移到热压炉中进行压合。本发明通过改进一系列化学清洗和高温氢化处理步骤，确保单晶SiC基片表面保持长时间的洁净状态。配合热压炉的使用，可以精确制备出
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116926684 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202310948734.1
(22)申请日 2023.07.31
(71)申请人 复旦大学
地址 200433
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