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- 2023-10-25 发布于四川
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本申请提供了一种磁传感器及其制备方法。磁传感器包括多个磁阻元件。每个磁阻元件包括依次层叠设置的反铁磁层、钉扎层、参考层、势垒层和自由层，自由层为涡旋磁结构。自由层沿预设方向进行磁退火处理，以使自由层中的涡旋磁结构获得与参考层钉扎方向的夹角为45°或135°的磁各向异性，使得探测磁场X分量、Y分量的涡旋磁结构分别对磁场的X轴、Y轴磁场分量产生磁场电阻响应曲线相同，因此可以平衡探测磁场X轴分量与磁场Y轴分量的性能，从而更容易解耦出磁场的大小和方向。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116930833 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202311196827.X H10N 50/01 (2023.01)
(22)申请日 2023.09.
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