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2023-10-27 发布于江苏
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I. 半导体激光器的发展黄永箴中国科学院半导体研究所，中国科学院大学材料科学与光电技术学院集成光电子学国家重点联合实验室一．同质结到双异质结材料二．InP系半导体激光器三．GaAs量子阱激光器四．半导体激光器材料选择五．半导体激光器器件结构一．同质结到双异质结构扩散PN结激光器专利(1962) P-N结激光器和发光管 • January 1962: observations of superlumenscences in GaAs p-n junctions (Ioffe Institute, USSR). • Sept.-Dec. 1962: laser action in GaAs and GaAsP p-n junctions (General Electric , IBM (USA); Lebedev Institute (USSR). y t i s n e t n i t h g i L Wavelength “+” n EF n p LD p GaAs Eg LD h n Ep F Cleaved mirror “–” 实现光增益条件: EnF – EpF Eg