【专业资料】ALD原子层沉积综述PPT.pptxVIP

ALD原子层沉积综述;ALD原子层沉积综述及实验进展;ALD发展过程简介;ALD反应过程;ALD的自限制性;ALD的自限制特征;ALD的自限制特征;ALD的前驱体;ALD的前驱体;ALD的前驱体;ALD的前驱体;ALD的前驱体;ALD 技术的发展;ALD 技术的发展;ALD 技术的发展;ALD 技术的发展;ALD技术的应用;实验进展;实验进展;试验进展;ALD的反应源主要可以分成两大类:无机物和金属有机物。 ( 3) 单体可选择性强（4) 可以生长出优异的金属薄膜和金属氮化物 ,例如 Ti ,Ta 和 TaN 等 ,而 T-ALD 很难做到 。 1反应源必须要有足够高的蒸汽压以保证其能够充分的覆盖或填充基体材料的表面（反应源的蒸汽压大约在） 阻抗测试结束，点击程序Tafel plot，设置电压从-1到1，进行极化测试。 金属有机物反应源包括金属烷基,金属环戊二烯基(cyclopentadienyls),金属β-2酮(3-二酮(P-diketonates 基),金属酰胺,金属脒基 ALD的反应源主要可以分成两大类:无机物和金属有机物。 ALD 技术在纳米材料方面的应用中空纳米管,纳米孔道尺寸的控制 ,高的高宽比纳米图形,纳米颗粒和纳米管的涂层,量子点涂层 光子晶体等 (amidinates)等化合物。 Anston 取得了该技术的专利。 关闭等离子可迅速清除活性自由基源,反应室中一直流过的清洁气体将清除过剩自由基和反应副产物 铜片的预处理：纯铜片依次用500/1000/2000目的砂纸打磨，打磨好后在抛光机上进行抛光。 (4) 待反应完全后再用惰性气体将多余的反应前体及其副产物吹洗出反应腔 。 金属有机物反应源包括金属烷基,金属环戊二烯基(cyclopentadienyls),金属β-2酮(3-二酮(P-diketonates 基),金属酰胺,金属脒基 (2) 待表面吸附饱和后, 用惰性气体将多余的反应前体吹洗出反应腔; 在沉积温度为150°下在铜片上分别沉积循环次数为10/50/100/200/500/1000/5000的氧化铝;关闭等离子可迅速清除活性自由基源,反应室中一直流过的清洁气体将清除过剩自由基和反应副产物 反应源的选择对ALD生长的薄膜质量起着关键的作用。 ALD技术在半导体领域的应用：1高k材料 2IC互连技术 ALD 技术在纳米材料方面的应用中空纳米管,纳米孔道尺寸的控制 ,高的高宽比纳米图形,纳米颗粒和纳米管的涂层,量子点涂层 光子晶体等 原子层淀积(ALD)是一种基??表面气相化学反应的薄膜淀积技术。 2 PE-ALD等离子体增强工艺是等离子体辅助和 ALD技术的结合 极化、阻抗测试：用的硫酸钠溶液做电解质。 Anston 取得了该技术的专利。 阻抗测试结束，点击程序Tafel plot，设置电压从-1到1，进行极化测试。 ALD技术在半导体领域的应用：1高k材料 2IC互连技术 无机物反应源包括单质和卤化物等; 沉积结束，将沉积后的铜片用导电胶与导线连接，放入烘箱70°，加热2h。 无机物反应源包括单质和卤化物等; 在沉积温度为150°下在铜片上分别沉积循环次数为10/50/100/200/500/1000/5000的氧化铝 关闭等离子可迅速清除活性自由基源,反应室中一直流过的清洁气体将清除过剩自由基和反应副产物 反应源的选择对ALD生长的薄膜质量起着关键的作用。 2 PE-ALD等离子体增强工艺是等离子体辅助和 ALD技术的结合 (2) 待表面吸附饱和后, 用惰性气体将多余的反应前体吹洗出反应腔;;;;;;;谢谢;谢谢观看