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一种半导体结构的形成方法，包括提供半导体基板，于其上形成多个浮置栅极，以及位于各浮置栅极之间的隔离结构；执行第一刻蚀工艺以凹蚀隔离结构，在各浮置栅极之间形成开口，并露出各浮置栅极的部分侧壁；顺应地形成衬层于开口中；执行离子注入工艺，将掺质注入衬层下方的隔离结构之中；以及执行第二刻蚀工艺，移除衬层以及衬层下方部分的隔离结构，使开口的底部形成渐缩的轮廓。通过本发明实施例的方法，可利用较便利的工艺进行浮置栅极之间的隔离结构的刻蚀，避免露出浮置栅极的底切结构，同时有助于后续的控制栅极的材料的填充。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116940116 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210337785.6
(22)申请日 2022.04.01
(71)申请人 华邦电子股份有限公司
地址 中国
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