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本发明提供了一种高致密块体Cu2SnSe3热电材料及其低温烧结制备方法，该方法包括：S1.将Cu粉、Sn粉和Se粉按照Cu2SnSe3化学计量比混合研磨，得到混合粉体；然后加入所述混合粉体质量0.5％‑5％的溶剂，混合均匀，得到预制物料；S2.将所述预制物料置于高压模具中，在150‑220℃下进行高压低温烧结，即得到高致密块体Cu2SnSe3热电材料；其中，所述溶剂的沸点低于高压低温烧结的温度。本发明通过在原料粉体中混入少量挥发性溶剂，包裹原料颗粒，使得在高压低温烧结过程中，溶剂挥发离开反应体系
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116924802 A
(43)申请公布日 2023.10.24
(21)申请号 202210339294.5 C04B 35/645 (2006.01)
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