用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdfVIP

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2023-10-25 发布于四川
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用于制造光电子半导体器件的方法和光电子半导体器件.pdf

提出一种用于制造光电子半导体器件(1)的方法，所述方法包括以下步骤：A)提供半导体本体(10)，所述半导体本体沿竖直方向(Y)相继跟随地包括第一传导类型的第一层(101)，构成为量子阱结构的有源层(103)，量子阱结构设为用于发射电磁辐射，和第二传导类型的第二层(102)；和B)用聚焦的电磁辐射(E)照射半导体本体(10)，使得电磁辐射(E)的焦点区域(E1)位于有源层(103)之内并且与量子阱结构重叠，其中电磁辐射(E)具有如下强度，所述强度在焦点区域(E1)中足够大，以便引起量子阱结构中的点

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116941049 A (43)申请公布日 2023.10.24 (21)申请号 202280017286.7 汉斯-约阿希姆 ·迈耶　

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