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铁基超导体电子结构的高分辨角分辨光电子能谱研究的中期报告 为了研究铁基超导体的电子结构，我们采用了高分辨角分辨光电子能谱技术（ARPES）。在研究过程中，我们利用了以下的实验仪器和方法： 1. ARPES实验仪器：我们采用了JPS-ARPES实验仪器进行实验，该仪器具有高分辨率和高能量分辨率的优点，可以对材料的表面进行准确的电子结构测量。 2. 测量温度和压力：我们在测量过程中采用了常温（300K）和低温（20K）两种温度条件。同时，我们还采用了常压和高压（2GPa）两种压力条件，以探究不同条件下电子结构的变化。 3. 样品制备：我们采用了标准固相法、高温烧结法和等离子体增强化学气相沉积法等多种方式制备样品，以获取不同组成、不同晶格结构和不同杂质含量的铁基超导体样品。 在实验过程中，我们发现不同条件下的铁基超导体样品具有不同的电子结构特征。例如，高压条件下样品中的费米面和倒立的锥形能带均发生了变化，说明压力可以影响铁基超导体的电子结构。此外，不同制备方法和组成的铁基超导体样品的电子结构也存在差异，这可以为铁基超导体性能的优化提供参考。 综上所述，通过ARPES技术的应用，我们可以对铁基超导体的电子结构进行高精度测量，并探究不同条件下的电子结构变化。这为进一步研究铁基超导体的物理性质和优化性能提供了有力的工具和参考。