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存储器元件的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-10-28 发布于四川
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存储器元件的制造方法.pdf

    本申请提供一种具有阶梯状位元线(BL)的存储器元件的制造方法，该制造方法包括：提供具有一第一表面的一半导体基板；设置位于该半导体基板的该第一表面上方的一第一介电层、位于该第一介电层上方的一导电层、及位于该导电层上方的一第二介电层；在该第二介电层上方设置一图案化遮罩；去除该第二介电层、该导电层及该第一介电层从该图案化遮罩露出的部分，以形成一第一沟槽；形成环绕该第一介电层、该导电层及该第二介电层的一间隙壁；在该第二介电层及该间隙壁上方设置一能量分解遮罩；用一电磁辐射照射该能量分解遮罩的一部分；去除该

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116963495 A (43)申请公布日 2023.10.27 (21)申请号 202310077389.9 (22)申请日 2023.02.01 (30)优先权数据 17/729,250 2022

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