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- 2023-10-28 发布于四川
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一种MEMS传感器(1),包括耦合到MEMS接口电路(20)的MEMS换能器(10)。MEMS接口电路(20)包括偏压产生器(100)、差分放大器(200)、电容器(300)和反馈控制电路(400)。偏压产生器(100)产生用于操作MEMS换能器的偏压(Vbias)。可变电容器(300)连接到差分放大器(200)的输入节点之一(I200a)。差分放大器的输出节点(A200a、A200b)中的至少一个耦合到偏压产生器(100)的输出滤波器(110)的基端(T110)。来自偏压产生器(100)的任何
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 109983692 A
(43)申请公布日
2019.07.05
(21)申请号 20178
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