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本申请提供一种晶圆键合方法和键合结构，涉及半导体技术领域，包括：提供第一晶圆和第二晶圆；在第一晶圆的第一表面上依次沉积阻挡层、种子层；在种子层上制备第一支撑层，在第一支撑层上，通过刻蚀制备得到多个待填充盲孔，待填充盲孔的底部为种子层；在待填充盲孔中填充与种子层匹配的金属材料，在金属材料上填充焊料，得到凸点；去除第一表面上除凸点以外的所有材料；在种子层上制备第二支撑层；在第二表面上制备嵌入多个金属衬垫的绝缘层；使第一晶圆与第二晶圆进行对准，使第一晶圆上的凸点与第二晶圆上的金属衬垫一一接触；键合第一
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116960009 A
(43)申请公布日 2023.10.27
(21)申请号 202310877128.5
(22)申请日 2023.07.17
(71)申请人 北京大学
地址 100084
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