100mm直径Si衬底上无裂纹GaN材料MOCVD生长研究的中期报告.docxVIP

100mm直径Si衬底上无裂纹GaN材料MOCVD生长研究的中期报告 本中期报告旨在介绍在100mm直径Si衬底上无裂纹GaN材料的MOCVD生长研究进展情况。 首先，我们成功地制备了没有任何裂纹的100mm直径Si衬底。通过优化衬底表面处理、衬底符合材料、衬底结构等方面，我们能够获得高质量的衬底。在这个基础上，我们开始了GaN材料的MOCVD生长实验。 我们对不同生长气压、生长温度、生长时间等参数进行了探究。通过SEM、XRD、PL等测试手段，我们对生长材料进行了表征。我们发现，在一定范围内不同参数的变化对生长物质的结晶度、表面形貌、缺陷密度等都产生了显著影响。在一定的生长条件下，我们能够成功地长出了高质量的GaN材料，其表面平整光滑，没有明显的结构缺陷。 接下来，我们计划进一步优化生长条件，提高生长速率和质量，同时减少材料表面和体积缺陷。我们将采用更加细致的表征手段，比如TEM和CL等，来进一步研究生长材料的性质。我们还将探索不同掺杂元素对材料特性的影响。 总的来说，我们认为我们的研究为在100mm直径Si衬底上高质量GaN材料生长提供了良好的基础，并且为相关应用提供了可靠的材料基础。