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GaN HEMT热模型及热设计研究的中期报告 本次中期报告将涉及到GaN HEMT热模型和热设计的研究。GaN HEMT是一种新型高速高功率晶体管，由于其高速、高功率等特点正受到越来越广泛的研究和应用。然而，由于GaN HEMT在高功率工作状态下会产生过热问题，因此，需要进行热设计，并建立合理的热模型，以便预测和优化器件的温度分布，从而保证器件的稳定性和寿命。 在本次报告中，我们将首先介绍GaN HEMT的结构和工作原理。其次，我们将重点介绍GaN HEMT的热模型的建立和验证方法。针对不同结构和工艺的GaN HEMT，我们将建立不同的热模型，以提高热设计的精度。基于这些热模型，我们将深入研究GaN HEMT器件的温度分布规律和热传导机制，并预测器件的最高工作温度。最后，我们将探讨一些有效的热设计方案，以提高GaN HEMT的性能、可靠性和寿命。 上述讨论的核心内容将围绕GaN HEMT的热模型和热设计展开，特别是在热传输、空气流动、散热设计等方面进行深入研究。同时，我们也将探索如何将热设计与器件电路设计相结合，以实现更为综合的优化设计。