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新结构TaOx阻变存储器研究的中期报告 TaOx阻变存储器是一种非易失性存储器，具有高速度、高密度、低功耗等优点，被广泛应用于存储器领域。新结构TaOx阻变存储器是一种新型的TaOx阻变存储器，具有更高的稳定性和更好的重写性能。本文对新结构TaOx阻变存储器的研究进行了中期报告。 1. 实验结果 通过实验发现，新结构TaOx阻变存储器具有较高的电阻变化比和较低的电阻漂移。在Cycling测试中，其电阻变化比达到了120倍，耐写次数达到了10^10次。 2. 形态学表征 通过SEM、TEM、AFM等技术对新结构TaOx阻变存储器进行形态学表征。发现该存储器的界面质量较高，TaOx薄膜均匀，且晶粒尺寸较小。同时观察到存储器中的空隙与TaOx的分布有一定关联性，这说明存储器性能与材料的微观结构有较大关系。 3. 性能分析 为了进一步分析新结构TaOx阻变存储器的性能，进行了宏观电学性质和局部电子学性质的测量，并对其进行分析。实验结果表明，该存储器具有较高的电导率和较低的通道电阻，且存储器内部的场边缘与空隙区域的电子状态具有显著差异，这对于存储器的性能具有重要影响。 4. 结论和展望 通过本次研究，得出了新结构TaOx阻变存储器具有高可靠性和重写性能的结论，并且对其性能分析为今后的研究提供了重要的参考。未来可以继续对其微观结构和局部电子学性质进行深入研究，同时也可以探索其在应用上的更多可能性。