原创力文档- 0
- 0
- 约2.17万字
- 约 16页
- 2023-11-01 发布于四川
- 举报
本公开提供一种半导体结构的制备方法和半导体结构，半导体结构的制备方法包括提供衬底，衬底包括间隔设置的多个有源区，衬底中具有间隔排布的多个字线沟槽，字线沟槽暴露有源区；形成栅介质层、第一导电层和第二导电层，栅介质层覆盖字线沟槽的槽壁，第一导电层位于栅介质层上，第二导电层位于第一导电层上；其中，第一导电层和第二导电层共同形成字线，第一导电层的应力大于第二导电层的应力。由于第二导电层的应力小于第一导电层的应力，从而缓解字线的形变，降低对字线和DRAM的性能的影响。因此，本公开提供的半导体结构的制备方法
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116981253 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310998072.9
(22)申请日 2023.08.07
(71)申请人 长鑫科技集团股份有限公司
地址
文档评论（0）