一种具有深槽隔离的高压互联器件.pdfVIP

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2023-11-01 发布于四川
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一种具有深槽隔离的高压互联器件.pdf

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本发明提供一种具有深槽隔离的高压互联器件，包括由高压互连线所连接的LDMOS区及高压电路区，LDMOS区包括第二导电类型半导体接触区、第二导电类型半导体接触区、第一导电类型半导体接触区、第一导电类型阱区、第二导电类型阱区、第二导电类型漂移区、第一导电类型半导体衬底、多晶硅栅电极、场氧化层；高压电路区周围设有高压结终端；高压互连线两端分别连接第二导电类型半导体接触区与高压电路区；第二导电类型半导体接触区与高压电路区间及高压电路区周围设有介质氧化层。本发明通过在LDMOS区与高压电路区间刻槽后填充介

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978905 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310933629.0 (22)申请日 2023.07.27 (71)申请人电子科技大学地址 611731