一种集成电路退火工艺的RTP反应腔体结构.pdfVIP

一种集成电路退火工艺的RTP反应腔体结构.pdf

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本发明涉及快速热处理技术领域,具体涉及一种集成电路退火工艺的RTP反应腔体结构,包括外反应腔体及内反应腔体;外反应腔体内部构造有冷却水路、冷却气路及升温组件;内反应腔体用于放置晶圆,并通入工艺气体;其中,所述冷却水路包括若干直通路径及转角路径,所述直通路径与转角路径形成于密封拼合而成的分体结构上;所述冷却气路形成于所述外反应腔体上,包括进气端及出气端;所述升温组件设置于所述内反应腔体上、下端,包括若干阵列分布的灯管。本发明在满足小于等于8英寸晶圆的RTP0.13μm工艺节点的要求,在内反应腔体

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978824 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310916921.1 (22)申请日 2023.07.25 (71)申请人 苏州热传道集成电路科技有限公司 地

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