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本发明涉及一种拓扑半金属纳米结构TaAs纳米线及其制备方法，属于纳米材料技术领域。按照TaCl5:As的质量比为1:1.5~3称取原料TaCl5和As，并间隔放置于样品舟中；将样品舟和镀金硅片放置于玻璃管中；将玻璃管放置于干燥的石英管中，密封，并通入氩气和氢气调节气压，然后将石英管放置于管式炉中，首先自室温升温至940~960℃，保温10~30min，然后降温至700±5℃，自然冷却，在石英管中得到所述TaAs纳米线。利用化学气相沉积方法将不可解理的Weyl半金属TaAs直接生长在硅片上，实现T
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116970923 A
(43)申请公布日 2023.10.31
(21)申请号 202310975885.6
(22)申请日 2023.08.04
(71)申请人 北京理工大
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