一种多沟道绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdfVIP

下载本文档

0
0
约1.63万字
约 13页
2023-11-01 发布于四川
举报
版权申诉

一种多沟道绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

本发明公开了一种多沟道绝缘栅高电子迁移率晶体管及其制作方法，所述多沟道绝缘栅高电子迁移率晶体管包括衬底层、缓冲层、若干异质结层、SiN层、介质层、栅极、源极和漏极；所述异质结层包括自上而下的GaN沟道层和AlInGaN势垒层，GaN沟道层和AlInGaN势垒层形成AlInGaN/GaN异质结；本发明的具有四元势垒层的多沟道绝缘栅高电子迁移率晶体管设置有若干AlInGaN/GaN异质结层，使得源极与漏极之间能形成多个并联的二维电子气通路，可以大大降低器件的导通电阻，为实现性能优异的Cascode增

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116978940 A (43)申请公布日 2023.10.31 (21)申请号 202310847928.2 (22)申请日 2023.07.12 (71)申请人江西万年晶半导体有限公司地址